XMC-SPI NOR Flash

SPI NOR Flash

新芯股份深入拓展特色存储工艺平台增长潜力，2017年推出自有品牌SPI NOR Flash产品系列方案，广泛应用于计算机、消费电子、汽车电子、工业控制、物联网设备等领域，成为众多知名客户的长期战略合作伙伴。

公司自有品牌SPI NOR Flash产品采用浮栅型(Floating Gate)工艺结构，工作电压涵盖1.2~3.3V，擦写速度、耐受性、数据保持等可靠性与特性指标业内领先。

Multi-Voltage Supply, Wide Temperature

Support 3V, 1.8V, 1.2V and 1.65~3.6V wide voltage power supply

-40℃ to +125℃ operating range

High Performance Serial Flash (SPI)

Maximum to 166MHz for fast read operation

Continuous Read 8/16/32/64 Byte Burst Wrap

QPI for Reduced Instruction Overhead

Maximum to 200MHz for DTR clock

Competitive Die Size for Small Package

1Gbit in WSON8 package

Support USON8 & WLCSP package

Support With Most Flexibility

Provide KGD and RDL

UID and other special customized items

KGD

新芯股份 SPI NOR 产品能以KGD形式提供；
- 新芯股份可以提供RDL (re-Distribution Layer)工艺来满足客定制化的pad布局
- 定制化的I/O数量
- 对功能、数据保留、cycling次数等进行完备的测试
专业技术人员将与KGD客户一同合作满足其特定要求；
高效的生产控制和计划体系以确保长期的供应和支持。

RoHS

武汉新芯集成电路股份有限公司的产品对下列有害物质管理要求符合中国 RoHS，欧盟 RoHS 和卤素的要求，保证产品满足以下有害物质管控标准。

Hazardous Substances	Threshold level, Homogeneous Level
Cadmium (Cd)	< 100ppm
Hexavalent Chromium (CrVI)	< 1000ppm
Lead (Pb)	< 1000ppm
Mercury (Hg)	< 1000ppm
Polybrominated biphenyls (PBB)	< 1000ppm
Polybrominated diphenyl ethers (PBDE)	< 1000ppm
Bis (2-ethlhexyl) phthalate (DEHP)	< 1000ppm
Butyl benzyl phthalate (BBP)	< 1000ppm
Dibutyl phthalate (DBP)	< 1000ppm
Diisobutyl phthalate (DIBP)	< 1000ppm
Chlorine (Cl)	< 900ppm
Bromine (Br)	< 900ppm
Total concentration of Chlorine (Cl)+Bromine (Br)	< 1500ppm

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