武汉新芯提供从65nm到45nm的高性能NOR Flash技术服务，在12英寸NOR Flash领域已经积累了十多年的研发和大规模生产制造经验，是业界先进的NOR Flash工艺制造商之一。

武汉新芯是全球首家量产45nm NOR Flash的制造商，单颗容量达到8Gbit。截至2023年底，武汉新芯NOR Flash晶圆累计出货量超130万片，覆盖从消费类到汽车级的市场应用。

XMC S-stacking^® 技术

武汉新芯S-stacking^®技术利用纳米级互连技术将两片晶圆在垂直方向直接连接在一起。

该技术能明显减小芯片面积，实现更短的连接距离，同时可提升连接速度和通道数目，带来高带宽、低延时和低功耗等优势。

武汉新芯S-stacking^®技术于2016年研发成功，其量产经验及技术能力达到世界先进水平。该技术已成功应用于算力芯片、3D深度传感器、3D堆叠存储器等领域，给客户带来卓越的产品性能和用户体验。

XMC M-stacking^® 技术

武汉新芯M-stacking^®技术打破传统封装级HBM Micro-bump互连架构，采用无凸点（Bumpless）工艺实现多片晶圆的Cu-Cu互连和更低的互连电阻，达到更高的互连密度及对准精度，键合良率达99.5%。

在产品性能上，晶圆级堆叠比传统HBM提高了20倍带宽，并将芯片厚度降低了40%。

武汉新芯于2018年底完成3片晶圆级堆叠工艺验证，2020年成功开发5片晶圆级堆叠工艺。武汉新芯M-stacking^®技术可以为高带宽产品提供新的解决方案。此技术将为数据中心、存算一体、物联网等应用提供更灵活更广泛的选择。

XMC Hi-stacking^® 技术

武汉新芯正在开发设计工艺灵活度更高的三维异质集成技术Hi-stacking^®（含2.5D interposer）。

此技术突破传统封装级连接方式，基于晶圆间三维集成技术，可开发针对不同芯片尺寸或不同基底材质的异质集成解决方案，从而使堆叠方案更灵活，同时提升堆叠后产品的良率，降低产品成本。

武汉新芯三维异质集成技术Hi-stacking^®可实现产品存储容量和通信带宽的倍增，未来将服务于对高性能、低功耗的多模块异质系统集成有强烈需求的物联网等领域。