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杨士宁:把握历史机遇,实现存储产业的战略突破

浏览次数: 日期:2016年9月21日 17:46

       9月20日,2016中国集成电路产业发展研讨会暨第十九届中国集成电路制造年会在厦门召开。长江存储科技有限责任公司总经理杨士宁博士作为嘉宾出席并发表演讲,阐述了他对存储器领域的见解,并介绍了长江存储在该领域的进展。他指出,存储产业目前面临空前的挑战和机遇,长江存储力求把握历史机遇,以3D NAND为突破点,进军大规模存储器领域。

 

挑战与机遇并存:“主流 IC 领域已没有容易干的活”
       杨士宁博士首先开门见山地表明,长江存储的主攻方向,就是大规模存储器领域,也就是目前占存储器产业总产值95%的DRAM和NAND Flash。这并不是一件容易的事情。杨士宁以目前市场最大的几种IC产品MPU(Micro- Processing Unit)、DRAM、NAND Flash和MCU为例,他介绍,根据IC Insights的统计数据,这几种产品都被行业内的少数几家国际巨头垄断了绝大部分市场,这种不平衡是不太健康的。“主流 IC 领域已没有容易干的活,挑战是空前的。”
       但是,杨士宁认为,存储产业一定需要平衡者,这反而也给我们带来了机遇。目前,集成电路市场的55%位于中国,资金和政策也愿意支持企业度过积累期。“我认为,如果有好的项目、好的机制,人才在国内聚集的可能性是相当大的。”
       有了机遇,不一定代表会成功。面对如此艰巨的任务,杨士宁分享了自己的见解:成功的必要条件可以归纳为“找对人、砸对钱、做对事”。“找对人”,是指要寻找有胸怀、有勇气、有实干精神、有成功记录的人。“砸对钱”,是指投资要超前,要投入先进技术的研发。“集成电路行业如果保持现在飞速发展、几年翻一番的态势,那我们很容易落后。如果落后五年以上,基本就没有竞争力了。”“做对事”,则是要建立国际化的体制,以自主研发为主、国际合作为辅的方式,“阵地战”中穿插“运动战”,参与市场化竞争。

果断进军3D NAND:“混战有利于新玩家”
       在市占率最大的两种半导体存储器DRAM和NAND Flash中,长江存储果断地选择了NAND Flash,并且是新兴的3D NAND。杨士宁透露了公司当初的考量,“DRAM和NAND Flash是密不可分的,在很多产品中这两者都需要。但是,从企业营运的角度来看,先从DRAM还是3D NAND入手,不仅是个技术问题,还是个经济问题。选择DRAM多出两个额外的难度:第一,竞争对手有大量折旧完的产能;第二,DRAM的需求增长相对缓慢。因此,在DRAM领域,我认为合理的做法是并购现有产能。”
       反观闪存,杨士宁介绍,闪存存储单元技术正在演变,由传统的浮栅结构转变为环形栅电荷俘获(Charge Trap)结构,而电荷俘获正是长江存储的技术优势之一。“长江存储需要一个突破点。因此我们选择了3D NAND,我们需要做的,就是制造出三维的电荷俘获存储器。这种结构在具备高性能的同时,还兼有低成本的特点,因此很有优势。”杨士宁还展示了几组数据,以此说明3D NAND将快速取代2D NAND,并可能在折旧期内盈利。
       选择3D NAND还有一个重要原因:全球除了一家企业比较领先,其余参与者都处在“混战”的阶段。“混战对新玩家比较有利。研发的难度高、困难大,但这也是一种机遇的体现。”

长江存储再获进展仍不满足:“进度还应该、还可以更快”
       随后,杨士宁博士介绍了长江存储在3D NAND领域的最新情况。公司于2014年8月开启3D NAND项目,与国际合作伙伴共同研发。自从2015年5月第一个测试芯片通过电学验证以来,沟道电流、存储单元性能及可靠性不断得到提升。并且,长江存储在更高叠层的产品工艺研发上也取得了更多的突破性进展。
       最后,杨士宁总结,长江存储进军3D NAND领域,是将企业需求与包括技术和合作伙伴在内的外部机遇相结合而做出的选择,同时这一选择也与国家战略相吻合。“我们在正确的道路上,向正确的方向前进,取得了靠谱的进展。”但是,他并未满足于目前所获成果。他表示,“我们的进度还应该、还可以更快。”
 

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