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武汉新芯:3D NAND将成为中国存储芯片产业弯道超车的切入点

作者:刘洋来源:集微网 浏览次数: 日期:2015年11月28日 13:50

       “未来3D NAND Flash产品将逐渐取代传统的2D NAND Flash产品,成为NAND Flash的主流产品。”11月26日下午,2015中国集成电路产业促进大会后,武汉新芯执行副总裁、营运长洪沨博士对集微网表示,目前在3D NAND的研发将是武汉新芯进入主流存储器制造领域的有利契机。

 

 

 

为什么是3D NAND?
       3D NAND技术与现有的2D NAND(纳米制程技术)截然不同,2D NAND是平面结构而3D NAND是立体结构,3D NAND结构是以垂直半导体通道的方式排列,多层环绕式栅极(GAA)结构形成多电栅级存储器单元晶体管,可以有效的降低堆栈间的干扰。3D技术不仅使产品性能显著提升,而且功耗可以大幅降低,在提升存储密度的同时降低成本。
       以三星的3D NAND产品为例,它比1x纳米NAND Flash更加可靠,功耗更低,并且拥有随机写入功能。3D NAND Flash技术的出现及其带来的市场格局变化,为我国集成电路制造企业进入主流存储器制造领域提供了有利的契机。洪沨认为,相对于DRAM,后者对于后进者的技术和成本壁垒更高。
       调研机构IC Insight报告显示,2D NAND Flash产品的出货量将从2015年开始以每年17.1%的速度快速下降,3D NAND Flash产品的出货量将以200%的年均复合增长率递增,预计2020年达到NAND Flash总量的70%的水平。未来3D NAND Flash产品将逐渐取代传统的2D NAND Flash产品,成为NAND Flash的主流产品。
       洪沨指出,从NAND Flash产品的主流厂商态势分析来看,东芝/闪迪的每10万片单位产出高于三星、美光和英特尔,但在3D NAND的布局来看,三星已经领先于其他厂商,目前3D NAND技术占比已达到11%。

 

产品目标和进展
       洪沨表示,武汉新芯在电荷俘获型存储器领域的长期研发和量产的经验成为其在3D NAND 研发上的关键优势。武汉新芯将通过完成先导产品的研发,迅速达到3D NAND国际主流技术水平并开始切入存储器国际市场,同时会全力推动整体产能扩充。在2020年达到月产30万片,进入世界存储器产品市场第一梯队。
       据洪沨透露,武汉新芯的产品及工艺模块的研发推进顺利。今年5月,武汉新芯宣布其3D NAND项目研发取得突破性成果,第一个存储测试芯片通过存储器功能的电学验证。目前,在更高阶层的工艺研发及存储单元性能上,都取得了更多重要进展。

 

为什么发展存储器?
       存储器广泛应用于大型云存储运算中心、服务器、电脑、手机及各类电子产品中。存储器处于半导体行业领头羊地位,发展态势良好,2014年~2019年均复合增长率达到8%。2014年全球存储器市场规模约750亿美金,占据整个半导体市场的21%,预计2019年存储器市场规模超过1140亿美金,约占半导体市场的30%。

       洪沨表示,武汉新芯预计未来10年,主流存储器具备的工艺稳定、成本和价格等优势仍将继续占据市场的主流。存储器约占全球芯片生产线产能和固定资产投入的三分之一,武汉新芯需要在产业积累期长期坚持和持续不断的投入。
       一直以来,中国的存储芯片产业基本空白,几乎100%依赖进口。三星、美光、东芝、海力士等企业垄断的存储器市场高达800亿美元,占据全球95%以上的市场份额。而中国每年进口的存储芯片就占55%的全球市场份额。
       武汉新芯拥有参与全球化竞争的知识产权平台,启动3D NAND项目,具备全球化视野。洪沨分享到,目前我们已拥有一支经验丰富的国际化管理团队,包括业界顶尖领军人才和专家,并有大量的专业人才储备。
       全球存储器产业的技术持续更新,对单颗芯片容量的密度要求越来越大。洪沨认为,存储器规模经济效应明显,产品种类相对单一,价格敏感性高,只有保持规模经营,紧跟技术进步,追求更低的制造成本,才有机会在市场竞争中胜出。全产业链的协同创新模式,将为实现战略突破打下坚实的基础。

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