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武汉新芯“3D NAND”项目获业内权威专家一致认可

浏览次数: 日期:2014年8月17日 09:03

       2014年8月17日,武汉东湖新技术开发区管委会在武汉组织召开了武汉新芯“三维数据型闪存(3D NAND Flash)技术开发及产业化”项目可行性专家评审会。
       评审会邀请了王曦、叶甜春、魏少军、陈贤、张兴、张卫、邹雪城、吴华强等业界权威专家作为项目评审团,来自国家工信部、湖北省、武汉市、和东湖高新区相关部门的领导参加项目评审会。
       项目评审团听取了可行性报告编制单位--赛迪顾问股份有限公司基于武汉新芯公司的状况、国家集成电路发展战略及国内外存储器技术与市场发展趋势所做的《三维数据型闪存(3D NAND Flash)技术开发及产业化项目可行性研究报告》的汇报。武汉新芯详细解答了专家们提出的问题。经过认真的讨论,评审团一致认为该项目符合地区与国家战略发展规划,对保障国家信息安全及产业安全具有重大意义;项目符合市场需求,将弥补我国存储器产业上的空白,对我国飞速发展的物联网、云计算等产业领域将提供有力的支撑。专家们还对项目的技术先进性和产业化的可行性给予了肯定,希望项目尽快启动实施。
       论证会的成功举办体现了各级政府及国内半导体行业对武汉新芯及“三维数据型闪存(3D NAND Flash)技术开发及产业化”项目的支持,武汉新芯的存储器战略迈出了坚实的第一步。

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