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国家存储器基地项目芯片生产机台进场安装 中国首批32层三维NAND闪存芯片年内量产
国家存储器基地项目芯片生产机台进场安装 中国首批32层三维NAND闪存芯片年内量产

        4月11日上午9:30,由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装,这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段,中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产。

国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装启动仪式

紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国发表讲话

        紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国在讲话中强调:国家存储器基地项目是中国集成电路闪存芯片产业规模化发展的突破,相当于中国科技领域的航空母舰。在生产厂房于去年9月提前一个月封顶、32层三维NAND闪存芯片自主研发取得重大突破的基础上,今天我们又提前20天实现了芯片生产机台搬入。这正如航母舾装完毕,开始装配武器弹药,下一步就要在今年底实现芯片量产,出海远航。或许不久就可以看到采用国产三维NAND 闪存芯片的智能手机问世。未来十年,紫光计划至少将投资1000亿美元,相当于平均每年投入100亿美元。我们正处于一个伟大的时代,我们相信也必将产生伟大的企业,紫光正为此而积极奋斗。我们一定会努力完成国家赋予的历史使命。

        国家集成电路产业投资基金总裁丁文武表示,目前我国通用存储器全部依赖进口,国家存储器基地项目进展顺利,32层三维闪存芯片已经研发成功,存储器发展战略突破初现曙光,但这只是我们万里长征的第一步,未来还要在技术研发、人才培养引进、成本控制、运营管理以及市场竞争力提升等方面下大力气、下大功夫;希望长江存储在我国存储器产业乃至整个集成电路产业发展中闯出一条自主创新、打破垄断的新路。

        武汉市委副书记、武汉市长万勇表示,国家存储器基地机台搬入,是中国芯的一大步,也是新武汉造的一大步。32层闪存产品研发成功、64层闪存产品研发进展迅速,标志着中国企业在填补芯片领域空白迈出了重要的一步,进一步拉近了我国在高端芯片领域与少数先进国家并跑的距离,这让我们尤其感到振奋和自豪。期待今年10月设备点亮投产,期待明年底64层闪存产品产能爬坡量产,期待中国芯在全球市场反响良好,期待基地第二、第三工厂尽早开工建设;中国芯、武汉造即将成为现实,中国缺芯少屏的历史将由此改写。

        据悉,国家存储器基地于去年成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片,并以前瞻的研发实力和卓越的性能,一举荣获49日开幕的中国电子信息博览会(CITE2018)金奖。这颗耗资10亿美元、由1000人团队历时2年自主研发的芯片,是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片,将有望使中国进入全球存储芯片第一梯队,有力提升中国芯在国际市场的地位。

国家存储器基地

        华芯投资管理有限责任公司总裁路军、副总裁任凯,紫光集团总裁张亚东,联席总裁齐联、王慧轩,紫光集团全球执行副总裁、长江存储执行董事长高启全,长江存储总裁杨士宁,国家集成电路产业投资基金副总裁兼长江存储监事会主席彭红兵,长江存储副董事长杨道虹,与武汉市委副书记、常务副市长陈瑞峰,湖北省发改委主任、武汉市委常委、东湖新技术开发区党工委书记程用文,武汉市副市长徐洪兰,东湖新技术开发区党工委副书记、管委会主任刘子清,东湖高新区党工委副书记、管委会常务副主任陈平,武汉市政府秘书长刘志辉等领导,武汉市发改委、经信委、科技局等主要负责人参加调研;国际知名设备厂商TELLAMAMAT,国内知名设备厂商北方华创、中微半导体等主要负责人参加活动。