晶圆代工服务

3D IC PLATFORM
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        武汉新芯三维集成技术能在晶圆级上实现多晶圆 (Wafer) 堆叠,同时利用纳米级互连技术将多片晶圆在垂直方向直接连接在一起。该技术能明显减小芯片面积,实现更短的连接距离,同时可提升连接速度和通道数目,带来高带宽、低延时和低功耗。

        随着技术演进和芯片制造尺寸的不断微缩,传统的摩尔定律在二维平面结构中会遇到瓶颈。三维集成技术可打破二维平面的束缚,有效解决这一问题,使之成为超越摩尔定律的最佳选择。XMC 3D IC依靠晶圆级互联技术通过减小通孔间距 (Pitch Size) 来不断提高集成度,将服务于对小尺寸、多功能、高带宽和低功耗产品需求不断攀升的终端市场。

        武汉新芯早在2012年便开始布局三维集成技术,是国内首家采用硅通孔技术(TSV)来生产图像传感器的制造商,已积累了六年的大规模量产经验。武汉新芯同时具备混合键合(Hybrid Bonding)和多晶圆堆叠技术(multiple wafer stacking)。其中多晶圆堆叠技术可实现逻辑、存储和传感器等更多不同功能晶圆的堆叠,进一步减小芯片尺寸,增加带宽,降低延时和功耗,带来更好的产品体验。